市场分析公司Yole Développement在其报告“GaN Power 2021：外延，器件，应用和技术趋势”中预测，在消费类应用领域的推动下，氮化镓（GaN）电源市场在2020年期间将增长一倍，到2026年总规模将达到11亿美元。
2020年，由于GaN器件渗透到智能手机快充器应用中，功率GaN市场翻了一番。 Yole表示，GaN在智能手机市场中的采用得益于系统紧凑性，高效率和适配器多功能性。其补充说，快速充电是GaN功率器件市场的杀手级应用。
“在Oppo在2019年底为其Reno Ace旗舰型号的65W内置快速充电器中采用GaN之后，几家手机原始设备制造商（OEM）和配件充电器提供商在2020年为其快速充电器发布了多项GaN解决方案。”Yole 化合物半导体和新兴基板技术与市场分析师Ahmed Ben Slimane博士表示。
2020年，小米，联想，三星，Realme，戴尔和LG等多家公司（以及其他中国配件公司）采用了GaN技术。到目前为止，至少有10个智能手机OEM厂商推出超过18款带有内置GaN充电器的手机。报告称，这种增长还将在售后市场中继续，苹果，小米和三星等公司都选择了开箱即用的充电器解决方案。
Yole预计电源将成为主要的市场驱动力，复合年增长率（CAGR）为69％，从2020年的将近2900万美元增长到2026年的约6.72亿美元（占Ga市场总量的61％）。
Ahmed Ben Slimane表示：“尽管GaN在大众消费市场上继续崛起，但电信和数据通信和汽车和移动市场将受益于规模效应经济和价格侵蚀。实际上，在这些可靠性和成本至关重要的市场中，Yole预计，从2023年至2024年，GaN的渗透率将有明显增长（为中长期的总体市场增长做出贡献）。”
“在电信和数据通信市场中，由于对能源消耗的法规越来越严格，因此就需要更高效，更小的电源，数据中心和电信运营商已经对GaN器件产生了兴趣。”化合物半导体与半导体技术与市场分析师Chis Pouhun Chiu指出。近年来，随着Eltek，Delta和BelPower首次采用小批量的GaN电源，Yole预计GaN的渗透率将进一步提升，这将推动电信和数据通信领域的复合年增长率达到71％，从2020年的910万美元增长到2026年将超过2.23亿美元。
Chiu说：“在汽车电动化的巨大动力以及对通过系统效率优化来增加行驶里程的兴趣之后，汽车和移动市场也对GaN给予了极大的关注，” Chiu说。
从长远来看，如果GaN已以较低的价格证明了其可靠性和高电流能力，它可以打入更具挑战性的EV / HEV（混合电动汽车）逆变器市场和保守的工业市场，这可能会创造出显着的高价位。报告说，GaN有大量的机会。
从2022年开始，预计GaN会小批量渗透到车载充电器（OBC）和DC / DC转换器等应用中，这主要与OEM和Tier1的选择有关。因此，Yole预计，到2026年，汽车和移动市场将以185％的复合年增长率增长，达到1.55亿美元以上。
就技术趋势而言，更多的新参与者已确定进入市场，以GaN-on-Si（GaN-on-Si）增强模式（E-mode）高电子迁移率晶体管（HEMT）技术为目标，目标是蒸蒸日上的快速充电器细分市场。硅基氮化镓被认为是未来几年扩大产能的平台。因此，已经对GaN外延和晶圆厂进行了显着的投资，以提高GaN器件的制造能力。然而，对于更大的晶片尺寸，外延沉积任旧存在挑战。
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Wise-integration与益登科技针对GaN IC电源半导体产品的推广展开渠道合作 中国，北京-2022年2月10日-致力于开发GaN(氮化镓)芯片和GaN电源数字控制的先驱Wise-integration和亚洲电子元器件代理商与解决方案供应商益登科技，共同宣布针对GaN电源半导体产品做渠道合作，拓展Wise-integration在亚洲市场的业务。 益登科技与Wise-integration的策略合作将着重于利用Wise-integration的GaN功率晶体管和数字控制能力，并与益登科技在亚洲地区广泛的半导体元器件销售经营渠道和客户服务能力做结合。 氮化镓为宽带隙的新一代半导体技术，对整个电力电子行业的
IC电源半导体推广展开渠道合作 /
Ampleon 宣布推出两款新型宽带GaN-on-SiC HEMT 晶体管，输出功率分别为 30 瓦 (CLF3H0060(S)-30) 和 100 瓦 (CLF3H0035(S)-100)。这些高线 代 GaN-SiC HEMT 工艺的初代产品，该工艺最近已通过认证并投入生产。 这一些器件在低偏置下提供高带宽线 dBc 三阶互调产品下，在从饱和功率回退 8 dB 时低于 -42 dBc 2:1 带宽）。宽带线性度对于当今国防电子设备中部署的频率瞬变无线电至关重要，用于处理多模通信波形（从 FM 到高阶 QAM 信号）并同时应用对抗信道。这些要求苛刻的应用需要晶体管本身具有
机遇与挑战： 氮化镓将逐渐替代以往的晶体管技术和某些特定应用中的真空管 氮化镓晶体管技术最大有可能的长期客户是国防市场和卫星通信市场 市场数据： 预计国防市场的价值将2012年达到4000万美元 卫星通信市场的估值在100万美元 氮化镓并非革命性的晶体管技术，这种新兴技术逐渐用于替代横向扩散金属氧化物硅半导体（SiLDMOS）和砷化镓（GaAs）晶体管技术和某些特定应用中的真空管。 与现存技术相比，氮化镓（GaN）的优点是更高的漏极效率、更大的带宽、更高的击穿电压和更高的结温操作，这些特点经常作为推动其批量生产的主要的因素，但在价格、可用性和器件成熟度方面还需加以综合
半导体原料共经历了三个发展阶段：第一阶段是以硅 (Si)、锗 (Ge) 为代表的第一代半导体原料；第二阶段是以砷化镓 (GaAs)、磷化铟 (InP) 等化合物为代表；第三阶段是以氮化镓 (GaN)、碳化硅 (SiC)、硒化锌 (ZnSe) 等宽带半导体原料为主。 第三代半导体原料具有较大的带宽宽度，较高的击穿电压 (breakdown voltage)，耐压与耐高温性能好，因此更适用于制造高频、高温、大功率的射频组件。 从第二代半导体原料慢慢的出现化合物，这些化合物凭借优异性能在半导体领域中取得广泛应用。 如 GaAs 在高功率传输领域具备优秀能力的物理性能优势，大范围的应用于手机、无线局域网络、光纤通讯、卫星通讯、卫星定位
5G高频率特性让氮化镓（GaN）半导体制程成为功率放大器（PA）市场主流技术，同时，GaN功率元件也开始被大量应用在车联网及电动车领域。看好GaN市场强劲成长爆发力，世界先进经过3年研发布局，今年硅基氮化镓（GaN-on-Si）制程将进入量产，成为全世界第一家提供8英寸GaN晶圆代工的业者，大啖5G及车电市场大饼。 台积电及世界先进近年来积极投入GaN制程研发，今年可望开花结果，合力抢进快速成长的GaN晶圆代工市场。台积电与德商戴乐格（Dialog）等客户合作，已开始提供6英寸GaN晶圆代工服务；世界先进与设备材料厂Kyma、转投资GaN硅基板厂QROMIS携手合作，去年底已成功试产8英寸GaN晶圆，今年将成为全世界首家提供8英寸
GaN（氮化镓）功率半导体供应商GaN Systems与安森美半导体（OnSemi）合作宣布推出全新100V高速半桥评估板（GS-EVB-HB-61008P-ON）。该产品专为现有和全新的PCB设计而开发，使电力电子设计人员能够轻松评估GaN以应对一直增长的48V市场应用，包括非隔离降压转换器，非隔离升压转换器，以及半桥和全桥转换器。 关键要点： GaN Systems与OnSemi合作开发了针对现有和全新PCB设计的100V高速半桥评估板。 通过EVB，可以轻松评估GaN在一直增长的48V市场应用中的应用，包括非隔离式降压转换器，非隔离式升压转换器以及半桥和全桥转换器。 该解决方案提供了GaN晶体管和驱动器组合
半桥评估板 /
众所周知，英特尔的数字芯片引领着行业发展，但其实，这家巨头背后也很看重处理器的供电能力。要知道，处理器能否发挥真正的性能，不止在于器件本身，而在于总系统。 英特尔很早以前，就看好氮化镓（GaN）在功率器件中的应用。一方面，是投资相关的企业，比如英特尔曾在2014年9月领投 GaN功率器件企业Avogy的4000万美元B轮融资。另一方面，是自身不断研究，英特尔在GaN上，全球都有专利布局，其中在美国和中国台湾分别有17项和20项专利正在申请中，涉及用于SoC的III-N晶体管、RF开关、超短沟道长度、场板和III-N/ 硅单片集成电路。 去年，IEDM2022上，英特尔为打造300毫米硅基氮化镓晶圆开辟了一条可行的路径，
新技术 /
如今，电子业正迈向4G的终点、5G的起点。 后者发展上仍有不少进步空间，但能确定，新一代无线电网络势必需要更加多组件、更高频率做支撑，可望为芯片商带庞大商机--特别是对RF功率半导体供货商而言。 对此，市研机构Yole于7月发布「2017年RF功率市场与科技报告」指出，RF功率市场近期可望由衰转盛，并以将近二位数的年复合成长率（GAGR）迅速成长；同时，氮化镓（GaN）将逐渐取代横向扩散金属氧化物半导体（LDMOS），成为市场主流技术。 拜电信基站升级、小型基地台逐渐普及所赐，RF功率市场可望脱离2015年以来的低潮，开始蒸蒸日上--报告说明，整体市场营收到2022年底则有望暴增75%之多，2016~2022年间CAG
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